1:温度升高,晶体管的管压降│Ube│()。
A:增大
B:减小
C:不变
D:不确定
2:引起共射放大电路输出波形出现饱和失真的主要原因是()。
A:输入电阻太小
B:静态工作点偏低
C:静态工作点偏高
D:输出电阻太小
3:对PNP型晶体管来说,当其工作于放大状态时,()极的电位最低。
A:发射极
B:基极
C:集电极
D:不确定
4:在共射、共集和共基三种基本放大电路中,输出电阻最小的是()放大电路。
A:共射极
B:共集电极
C:共基极
D:不确定
5:在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于()。
A:温度
B:掺杂工艺
C:杂质浓度
D:晶体缺陷
6:在掺杂半导体中,少子的浓度受()的影响很大。
A:温度
B:掺杂工艺
C:杂质浓度
D:晶体缺陷
7:以下关于BJT放大电路三种组态的特点说法错误的是()。
A:共射极放大电路的电压和电流增益都大于1
B:共射极放大电路常用于高频或宽频带低输入阻抗的场合
C:共集电极放大电路只有电流放大作用,没有电压放大
D:共基极放电电路只有电压放大作用,没有电流放大
8:BJT处于放大状态的条件是()。
A:发射结正偏,集电结反偏
B:发射结正偏,集电结正偏
C:发射结反偏,集电结正偏
D:发射结反偏,集电结反偏
9:引起放大电路静态工作点不稳定的诸因素中,()的影响最大。
A:电源电压的波动
B:元件参数的分散性
C:元件的老化
D:环境温度变化
10:测得晶体管三个电极对地的电压分别为2V、6V、2.2V,则该管()。
A:处于饱和状态
B:处于放大状态
C:处于截止状态
D:已损坏
11:BJT有三个极、三个区、三个PN结。
A:错误
B:正确
12:温度升高,晶体管输入特性曲线右移。
A:错误
B:正确
13:阻容耦合多级放大电路不能抑制零点漂移。
A:错误
B:正确
14:当环境温度升高时,二极管的正向电压将降低。
A:错误
B:正确
15:当环境温度升高时,二极管的死区电压将升高。
A:错误
B:正确
16:利用微变等效电路可以计算晶体管放大电路的交流参数。
A:错误
B:正确
17:半导体的导电能力介于导体与绝缘体之间。
A:错误
B:正确
18:与锗晶体管相比,硅晶体管的温度稳定性能高。
A:错误
B:正确
19:二极管的反向电流值愈小,管子的单向导电性愈差。
A:错误
B:正确
20:一般来说,放大电路的输入电阻越大越好,输出电阻越小越好。
A:错误
B:正确
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