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用户购买价格:3金币 本套试题答案购买后显示 购买本答案 【上面答案为下列试题答案,请核对试题后再购买】www.botiku.com零号电大 题目序列是随机的,请按题目关键词查找(或按快捷键Ctrl+F输入题目中的关键词,不要输入整个题目) 题目:300K时,在本征半导体中掺入施主杂质形成N型半导体,欲使得锗中的费米能级低于导带底能量0.15eV,施主掺杂浓度ND为()。 A. B. C. D. 题目:PN结中的总的电子电流计算公式为()。 A. B. C. D. 题目:PN结中的总的空穴电流计算公式为()。 A. B. C. D. 题目:单晶一般是()。 A.凸多面体 B.凹多面体 C.圆球体 D.立方体 题目:电子的扩散电流为()。 A. B. C. D. 题目:电子的漂移电流为()。 A. B. C. D. 题目:空间点阵可分为()晶系。 A.四种 B.五种 C.六种 D.七种 题目:空穴的扩散电流为()。 A. B. C. D. 题目:空穴的漂移电流为()。 A. B. C. D. 题目:面心立方密堆积空间利用率最大为()。 A.70% B.72% C.74% D.76% 题目:七大晶系共有()种布喇菲原胞。 A.11 B.12 C.13 D.14 题目:体心立方堆积空间利用率为()。 A.68% B.67% C.66% D.65% 题目:体心立方晶格的倒格子是面心立方结构,它的第一布里渊区为()。 A.截角八面体 B.菱形十二面体 C.正八面体 D.菱形十六体 题目:下列哪项不属于配位数的可能值()。 A.1200% B.900% C.800% D.600% 题目:以下()为价带的有效状态密度计算公式。 A. B. C. D. 题目:在105个硅原子中掺入一个硼原子,可以使硅的电导增加()。 A.102 B.103 C.104 D.105 题目:在PN结中施主掺杂浓度为,受主掺杂浓度为,在300K时Si突变结的接触电势差VD为() A.0.736V B.0.976V C.0.686V D.0.876V 题目:在下列公式中计算本征半导体费米能级的是() A. B. C. D. 题目:正四面体四个共价键之间的夹角是() A.109°30' B.109°28' C.109° D.109°25' 题目:自然界的晶体结构只有()种。 A.200 B.210 C.220 D.230
题目:常用的酸性腐蚀液配方中硝酸与氢氟酸与醋酸之比为()。 A.6:03:03 B.5:03:03 C.5:01:01 D.6:01:01 题目:单晶硅锭的两种常见生产工艺有()。 A.浇铸法 B.直拉法 C.直熔法 D.区熔法 题目:电池的输出功率受以下哪些因素所影响()。 A.栅覆盖面积 B.抗反射层的吸收和反射 C.光子能量小于禁带宽度引起的损耗 D.光子能量大于禁带宽度的能量损耗 题目:多晶硅锭的两种常见生产方法有()。 A.浇铸法 B.直拉法 C.直熔法 D.区熔法 题目:多晶硅绒面制备时采用的酸腐蚀液主要由()组成。 A.HN03 B.HF C.H20 D.CH3CH2OH 题目:固态氮化硼扩散与液态硼扩散比较,其有如下的特点()。 A.设备复杂、操作麻烦 B.扩散效率高,更适于大批量生产 C.扩散后硅片的均匀性、重复性和表面质量都较好 D.产品的合格率较高 题目:光伏电池广泛应用于当今社会,以下哪些选项是其典型应用()。 A.无线电通信系统电源 B.抽水系统 C.室内电子器件 D.电池充电器 题目:硅材料的选料主要包括()。 A.导电类型 B.电阻率 C.晶向、位错、寿命 D.形状、尺寸、厚度 题目:硅片表面污染的杂质分类有()。 A.分子型杂质 B.离子型杂质 C.原子型杂质 D.质子型杂质 题目:碱腐蚀法的酸腐蚀法对比,其优点是()。 A.成本较低 B.对环境的污染小 C.外观平整 D.光亮度高 题目:离子注入法具有的特点主要有()。 A.精确的剂量控制 B.均匀性好 C.掺杂深度小 D.不受固溶度限制 题目:太阳电池的测试方法包括()。 A.阳极氧化法测结深 B.四探针法测薄层电阻 C.少子寿命的测试 D.太阳电池负载特性的测试 题目:太阳电池的光电转换效率哪些因素有关()。 A.结构 B.材料性质 C.工作温度 D.环境变化 题目:以下哪些选项对太阳电池性能有直接的影响()。 A.电池片厚度 B.温度和光强度 C.辐射 D.颜色 题目:在太阳电池的扩散工艺中,影响扩散的重要因素有()。 A.扩散温度 B.扩散深度 C.扩散气氛 D.扩散时间 题目:直拉单晶硅制备工艺一般包括()。 A.装料和熔化 B.种晶和引细颈 C.放肩和等径生长 D.收尾 题目:制备PN结的主要方法有以下几种()。 A.扩散法 B.离子注入法 C.合金法 D.分离法 题目:制备背电场电池较常用的方法还有硼扩散法,硼扩散法的优点是()。 A.分配系数比铝大 B.结均匀 C.电极牢度好 D.所需温度低 题目:制作电极的方法主要有()。 A.真空蒸镀法 B.化学镀膜法 C.印刷烧结法 D.加热氧化法 题目:作为减反射层的薄膜材料,通常要求有很好的()。 A.透光性 B.耐化学腐蚀性 C.硅片粘接性 D.导电性
题目:N型半导体的特征是电子是少数载流子,空穴是多数载流子。 题目:本征半导体的特征是电子的浓度与空穴的浓度相等。 题目:单晶没有规则的外形。 题目:对一定的晶体,杂质原子是形成替位式杂质还是间隙式杂质,主要取决于杂质原子与基质原子几何尺寸的相对大小及其电负性。 题目:对于结构相同的晶体,滑移方向和滑移面通常不相同。 题目:对于一定的晶格,结点所占的体积是一定的,面间距大的晶面上,格点的面密度小。 题目:多晶由很多细小的取向不同的单晶组成。 题目:非晶体内部的原子、分子排列整齐,有周期性规律。 题目:晶体加热至熔点开始熔化,熔化过程中温度保持不变,熔化成液态后温度才继续上升;而非晶体熔化时,随着温度升高,粘度逐渐变小,变成流动性较大的液体。 题目:晶体内的位错滑移是使临界切应力大为减小的主要原因。 题目:晶体缺陷是固体物理中的重要研究领域。 题目:晶体在不同方向上具有相同的周期性。 题目:理想晶体的主要特征是原子(或分子)严格按照规则排列,具有完整的周期性。 题目:密勒指数小的晶面,面间距较大。 题目:七大晶系共有十五种布喇菲原胞。 题目:色心是一种化学计量比引起的空位缺陷。 题目:同一品种的晶体,两个对应晶面间的夹角恒定不变。 题目:位错为面缺陷,位错的基本类型有刃型位错和螺旋位错两种。 题目:由于内建电场作用,电子要从P区漂移运动到N区,空穴要从N区漂移运动到P区,它们的漂移形成了电流,电流方向也是P指 题目:由于浓度梯度作用,电子和空穴的扩散会形成电子扩撒电流和空穴扩散电流,它们的电流方向是相同的,都是P指向N。 题目:由于生长条件不同,同一品种的晶体其外形可能不同,这是晶体的本质特征。 题目:在不同的带轴方向上,晶体中原子排列情况不同,晶体性质也不同。 题目:在晶体中,位于晶格点阵上的原子是静止不动的。 题目:在熔化过程中,晶体的长程序解体时对应着一定的熔点,非晶体也有固定的熔点。 题目:在一定温度下,原子热振动的振幅和平均能量是不断变化的。 题目:组成缺陷包括替位式杂质原子和填隙式杂质原子。
题目:当热平衡PN结不加偏压时,将下列求解公式一一对应。(1)PN结区空间电荷区的总的宽度 A. (2)N型区空间电荷区的宽度 B. (3)P型区空间电荷区的宽度 C. 1). PN结区空间电荷区的总的宽度一一 (1) 2). N型区空间电荷区的宽度一一 (2) 3). P型区空间电荷区的宽度一一 (3) 题目:将倒格子三个基矢与其定义一一对应。(1)b1 A. (2)b2 B. (3)b3 C. 1). b1 (1) 2). b2 (2) 3). b3 (3) 题目:将下列PN结理论常用函数式一一对应。(1)费米分布函数 A. (2)玻尔兹曼分布函数 B. (3)状态密度函数 C. 1). 费米分布函数 (1) 2). 玻尔兹曼分布函数 (2) 3). 状态密度函数 (3) 题目:将下列不同半导体的费米能级求解公式一一对应。(1)本征半导体费米能级 A. (2)N型半导体费米能级 B. (3)P型半导体费米能级 C. 1). 本征半导体费米能级 (1) 2). N型半导体费米能级 (2) 3). P型半导体费米能级 (3) 题目:将下列定义与其计算公式一一对应 (1)导带的有效状态密度 A. (2) 导带中电子浓度 B. (3) 价带中空穴浓度 C.
1). 导带的有效状态密度一一 (1) 2). 导带中电子浓度一一 (2) 3). 价带中空穴浓度一一 (3)
题目:将以下物质室温下的本征载流子浓度一一对应。 (1)Si A. (2)GaAs B. (3)Ge C.
1). Si (1) 2). GaAs (2) 3). Ge (3)
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