国开电大《光伏电池原理与工艺》第二次形考任务答案

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题目:300K时,在本征半导体中掺入施主杂质形成N型半导体,欲使得锗中的费米能级低于导带底能量0.15eV,施主掺杂浓度ND为()。
A.
B.
C.
D.
题目:PN结中的总的电子电流计算公式为()。
A.
B.
C.
D.
题目:PN结中的总的空穴电流计算公式为()。
A.
B.
C.
D.
题目:单晶一般是()。
A.凸多面体
B.凹多面体
C.圆球体
D.立方体
题目:电子的扩散电流为()。
A.
B.
C.
D.
题目:电子的漂移电流为()。
A.
B.
C.
D.
题目:空间点阵可分为()晶系。
A.四种
B.五种
C.六种
D.七种
题目:空穴的扩散电流为()。
A.
B.
C.
D.
题目:空穴的漂移电流为()。
A.
B.
C.
D.
题目:面心立方密堆积空间利用率最大为()。
A.70%
B.72%
C.74%
D.76%
题目:七大晶系共有()种布喇菲原胞。
A.11
B.12
C.13
D.14
题目:体心立方堆积空间利用率为()。
A.68%
B.67%
C.66%
D.65%
题目:体心立方晶格的倒格子是面心立方结构,它的第一布里渊区为()。
A.截角八面体
B.菱形十二面体
C.正八面体
D.菱形十六体
题目:下列哪项不属于配位数的可能值()。
A.1200%
B.900%
C.800%
D.600%
题目:以下()为价带的有效状态密度计算公式。
A.
B.
C.
D.
题目:在105个硅原子中掺入一个硼原子,可以使硅的电导增加()。
A.102
B.103
C.104
D.105
题目:在PN结中施主掺杂浓度为,受主掺杂浓度为,在300K时Si突变结的接触电势差VD为()
A.0.736V
B.0.976V
C.0.686V
D.0.876V
题目:在下列公式中计算本征半导体费米能级的是()
A.
B.
C.
D.
题目:正四面体四个共价键之间的夹角是()
A.109°30'
B.109°28'
C.109°
D.109°25'
题目:自然界的晶体结构只有()种。
A.200
B.210
C.220
D.230

题目:常用的酸性腐蚀液配方中硝酸与氢氟酸与醋酸之比为()。
A.6:03:03
B.5:03:03
C.5:01:01
D.6:01:01
题目:单晶硅锭的两种常见生产工艺有()。
A.浇铸法
B.直拉法
C.直熔法
D.区熔法
题目:电池的输出功率受以下哪些因素所影响()。
A.栅覆盖面积
B.抗反射层的吸收和反射
C.光子能量小于禁带宽度引起的损耗
D.光子能量大于禁带宽度的能量损耗
题目:多晶硅锭的两种常见生产方法有()。
A.浇铸法
B.直拉法
C.直熔法
D.区熔法
题目:多晶硅绒面制备时采用的酸腐蚀液主要由()组成。
A.HN03
B.HF
C.H20
D.CH3CH2OH
题目:固态氮化硼扩散与液态硼扩散比较,其有如下的特点()。
A.设备复杂、操作麻烦
B.扩散效率高,更适于大批量生产
C.扩散后硅片的均匀性、重复性和表面质量都较好
D.产品的合格率较高
题目:光伏电池广泛应用于当今社会,以下哪些选项是其典型应用()。
A.无线电通信系统电源
B.抽水系统
C.室内电子器件
D.电池充电器
题目:硅材料的选料主要包括()。
A.导电类型
B.电阻率
C.晶向、位错、寿命
D.形状、尺寸、厚度
题目:硅片表面污染的杂质分类有()。
A.分子型杂质
B.离子型杂质
C.原子型杂质
D.质子型杂质
题目:碱腐蚀法的酸腐蚀法对比,其优点是()。
A.成本较低
B.对环境的污染小
C.外观平整
D.光亮度高
题目:离子注入法具有的特点主要有()。
A.精确的剂量控制
B.均匀性好
C.掺杂深度小
D.不受固溶度限制
题目:太阳电池的测试方法包括()。
A.阳极氧化法测结深
B.四探针法测薄层电阻
C.少子寿命的测试
D.太阳电池负载特性的测试
题目:太阳电池的光电转换效率哪些因素有关()。
A.结构
B.材料性质
C.工作温度
D.环境变化
题目:以下哪些选项对太阳电池性能有直接的影响()。
A.电池片厚度
B.温度和光强度
C.辐射
D.颜色
题目:在太阳电池的扩散工艺中,影响扩散的重要因素有()。
A.扩散温度
B.扩散深度
C.扩散气氛
D.扩散时间
题目:直拉单晶硅制备工艺一般包括()。
A.装料和熔化
B.种晶和引细颈
C.放肩和等径生长
D.收尾
题目:制备PN结的主要方法有以下几种()。
A.扩散法
B.离子注入法
C.合金法
D.分离法
题目:制备背电场电池较常用的方法还有硼扩散法,硼扩散法的优点是()。
A.分配系数比铝大
B.结均匀
C.电极牢度好
D.所需温度低
题目:制作电极的方法主要有()。
A.真空蒸镀法
B.化学镀膜法
C.印刷烧结法
D.加热氧化法
题目:作为减反射层的薄膜材料,通常要求有很好的()。
A.透光性
B.耐化学腐蚀性
C.硅片粘接性
D.导电性

题目:N型半导体的特征是电子是少数载流子,空穴是多数载流子。
题目:本征半导体的特征是电子的浓度与空穴的浓度相等。
题目:单晶没有规则的外形。
题目:对一定的晶体,杂质原子是形成替位式杂质还是间隙式杂质,主要取决于杂质原子与基质原子几何尺寸的相对大小及其电负性。
题目:对于结构相同的晶体,滑移方向和滑移面通常不相同。
题目:对于一定的晶格,结点所占的体积是一定的,面间距大的晶面上,格点的面密度小。
题目:多晶由很多细小的取向不同的单晶组成。
题目:非晶体内部的原子、分子排列整齐,有周期性规律。
题目:晶体加热至熔点开始熔化,熔化过程中温度保持不变,熔化成液态后温度才继续上升;而非晶体熔化时,随着温度升高,粘度逐渐变小,变成流动性较大的液体。
题目:晶体内的位错滑移是使临界切应力大为减小的主要原因。
题目:晶体缺陷是固体物理中的重要研究领域。
题目:晶体在不同方向上具有相同的周期性。
题目:理想晶体的主要特征是原子(或分子)严格按照规则排列,具有完整的周期性。
题目:密勒指数小的晶面,面间距较大。
题目:七大晶系共有十五种布喇菲原胞。
题目:色心是一种化学计量比引起的空位缺陷。
题目:同一品种的晶体,两个对应晶面间的夹角恒定不变。
题目:位错为面缺陷,位错的基本类型有刃型位错和螺旋位错两种。
题目:由于内建电场作用,电子要从P区漂移运动到N区,空穴要从N区漂移运动到P区,它们的漂移形成了电流,电流方向也是P指
题目:由于浓度梯度作用,电子和空穴的扩散会形成电子扩撒电流和空穴扩散电流,它们的电流方向是相同的,都是P指向N。
题目:由于生长条件不同,同一品种的晶体其外形可能不同,这是晶体的本质特征。
题目:在不同的带轴方向上,晶体中原子排列情况不同,晶体性质也不同。
题目:在晶体中,位于晶格点阵上的原子是静止不动的。
题目:在熔化过程中,晶体的长程序解体时对应着一定的熔点,非晶体也有固定的熔点。
题目:在一定温度下,原子热振动的振幅和平均能量是不断变化的。
题目:组成缺陷包括替位式杂质原子和填隙式杂质原子。

题目:当热平衡PN结不加偏压时,将下列求解公式一一对应。(1)PN结区空间电荷区的总的宽度                       A.
(2)N型区空间电荷区的宽度                                 B.
(3)P型区空间电荷区的宽度                                  C.



1). PN结区空间电荷区的总的宽度一一    (1)   
2). N型区空间电荷区的宽度一一   (2)   
3). P型区空间电荷区的宽度一一   (3)   
题目:将倒格子三个基矢与其定义一一对应。(1)b1         A.  (2)b2         B. (3)b3         C.

1). b1
    (1)   
2). b2
    (2)   
3). b3
    (3)   
题目:将下列PN结理论常用函数式一一对应。(1)费米分布函数                A.  

(2)玻尔兹曼分布函数         B.
(3)状态密度函数                 C.

1). 费米分布函数

    (1)   

2). 玻尔兹曼分布函数

    (2)   

3). 状态密度函数

    (3)   

题目:将下列不同半导体的费米能级求解公式一一对应。(1)本征半导体费米能级                        A. (2)N型半导体费米能级                        B. (3)P型半导体费米能级                        C.


1). 本征半导体费米能级  
    (1)   
2). N型半导体费米能级
    (2)   
3). P型半导体费米能级
    (3)   
题目:将下列定义与其计算公式一一对应
(1)导带的有效状态密度               A.
(2) 导带中电子浓度                     B.
(3) 价带中空穴浓度                     C.


1). 导带的有效状态密度一一   (1)   
2). 导带中电子浓度一一   (2)   
3). 价带中空穴浓度一一   (3)   


题目:将以下物质室温下的本征载流子浓度一一对应。
(1)Si               A.
(2)GaAs         B.
(3)Ge             C.


1). Si  
    (1)   
2). GaAs  
    (2)   
3). Ge   
    (3)   



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